【あっさりと、MOS-FET 2SK241は安定動作】
たかが1石されど1石
【追記 電子回路図変更（TR5ﾍﾞｰｽ入力）】
たまたま手持ちのJ-FET 2SK125を使ったために、RF-AMPの発振に翻弄されてきましたが、ｼﾞｬﾝｸｼｮﾝ（接合）型FETの一端を経験できました。
もうひと粘りして、J-FETの変更回路の状態で、「MOS-FET 2SK241」にﾊﾞﾄﾝﾀｯﾁしたいと思います。
これまで部品交換や配線替えの度にﾊﾝﾀﾞ吸い取りとﾊﾝﾀﾞ付けを繰り返し、基盤の裏は見せられない状態です。
新しい基盤に組み替えるのがﾍﾞｽﾄですが、FETの交換・ｹﾞｲﾝの調整を上面からできるように、3本足のﾋﾟﾝの立ち上げ・ｿｰｽ抵抗はVRとしました。
ｵｼﾛｽｺｰﾌﾟと別電源を接続して、「MOS-FET 2SK241 RF-AMP」の単体試験です。
入出力の状態を変えたりFCZｺｲﾙの再同調を繰り返しても、出力波形は全く見られません。
J-FETの時とは打って変って何の反応もないので、RF-AMPとして動作するのか心配なくらいです。
原点に戻って、JST-135 TCXOの出力（TR5ｴﾐｯﾀ）を確認します。
ﾀｰﾐﾈｰﾄしていないからか波形が歪んでいますが、「1800mVp-p +9dBm」です。
ついでに外部REFとしてｱﾝﾃﾅｱﾅﾗｲｻﾞMFJ-259Bから20MHzの信号を注入してみます。
「2600mVp-p +12dBm」でNHK792KHzがS9＋で受信できます。
いよいよ「MOS-FET 2SK241 RF-AMP」を接続すると、あっさりとNHK792KHzがS9＋で受信。
ｿｰｽのVRを調整してJST-135のLock状態を見ます。
0ΩのときRF-AMPの利得が最大「+27dB」となり、信号注入（TR5ｴﾐｯﾀ）ﾚﾍﾞﾙは「5400mVp-p +18.6dBm」。
4KΩのとき利得は「+17dB」で、注入ﾚﾍﾞﾙは「1800mVp-p +9dBm」。
4KΩ以上にするとLockが不安定になり、やがてUnlockで受信できなくなります。
やっとのことで、ものになった20MHz外部基準信号RF-AMPです。
実験基盤状態なので新しく組み直すのが良いと思いますが、このままﾌﾟﾗｸﾞｲﾝです。
初めからMOS-FETを使っていれば遠回りしなくても済んだかもしれませんが、終わってみれば分からないなりに良い勉強になりました。
たかが1石されど1石。
複雑な回路で自作をされているOM諸氏を大尊敬する年老いた田舎のﾗｼﾞｵ少年でした。（本当に完結？？）
【追記 電子回路図変更（TR5ﾍﾞｰｽ入力）】
2021年当時の外部REFでは、ﾓﾆﾀｰとして受信のみの実験でした。
2026年にManual CI-Ⅴを製作したので送受信試験をしてみると、受信感度が低い・送信ﾄﾞﾗｲﾌﾞ不足・内部TCXOでｾﾞﾛｲﾝできない、という現象が出ました。
外部REFをTR5ｴﾐｯﾀに接続していたのを、内部TCXOの切り替えｽｲｯﾁ経由でTR5ﾍﾞｰｽ入力に変更したところ、すべての問題は解決できました。
変更後のﾌﾟﾗｸﾞｲﾝ基盤の実装ﾎﾟｲﾝﾄ図です。
たかが1石されど1石
【追記 電子回路図変更（TR5ﾍﾞｰｽ入力）】
たまたま手持ちのJ-FET 2SK125を使ったために、RF-AMPの発振に翻弄されてきましたが、ｼﾞｬﾝｸｼｮﾝ（接合）型FETの一端を経験できました。
もうひと粘りして、J-FETの変更回路の状態で、「MOS-FET 2SK241」にﾊﾞﾄﾝﾀｯﾁしたいと思います。
これまで部品交換や配線替えの度にﾊﾝﾀﾞ吸い取りとﾊﾝﾀﾞ付けを繰り返し、基盤の裏は見せられない状態です。
新しい基盤に組み替えるのがﾍﾞｽﾄですが、FETの交換・ｹﾞｲﾝの調整を上面からできるように、3本足のﾋﾟﾝの立ち上げ・ｿｰｽ抵抗はVRとしました。
ｵｼﾛｽｺｰﾌﾟと別電源を接続して、「MOS-FET 2SK241 RF-AMP」の単体試験です。
入出力の状態を変えたりFCZｺｲﾙの再同調を繰り返しても、出力波形は全く見られません。
J-FETの時とは打って変って何の反応もないので、RF-AMPとして動作するのか心配なくらいです。
原点に戻って、JST-135 TCXOの出力（TR5ｴﾐｯﾀ）を確認します。
ﾀｰﾐﾈｰﾄしていないからか波形が歪んでいますが、「1800mVp-p +9dBm」です。
ついでに外部REFとしてｱﾝﾃﾅｱﾅﾗｲｻﾞMFJ-259Bから20MHzの信号を注入してみます。
「2600mVp-p +12dBm」でNHK792KHzがS9＋で受信できます。
いよいよ「MOS-FET 2SK241 RF-AMP」を接続すると、あっさりとNHK792KHzがS9＋で受信。
ｿｰｽのVRを調整してJST-135のLock状態を見ます。
0ΩのときRF-AMPの利得が最大「+27dB」となり、信号注入（TR5ｴﾐｯﾀ）ﾚﾍﾞﾙは「5400mVp-p +18.6dBm」。
4KΩのとき利得は「+17dB」で、注入ﾚﾍﾞﾙは「1800mVp-p +9dBm」。
4KΩ以上にするとLockが不安定になり、やがてUnlockで受信できなくなります。
やっとのことで、ものになった20MHz外部基準信号RF-AMPです。
実験基盤状態なので新しく組み直すのが良いと思いますが、このままﾌﾟﾗｸﾞｲﾝです。
初めからMOS-FETを使っていれば遠回りしなくても済んだかもしれませんが、終わってみれば分からないなりに良い勉強になりました。
たかが1石されど1石。
複雑な回路で自作をされているOM諸氏を大尊敬する年老いた田舎のﾗｼﾞｵ少年でした。（本当に完結？？）
【追記 電子回路図変更（TR5ﾍﾞｰｽ入力）】
2021年当時の外部REFでは、ﾓﾆﾀｰとして受信のみの実験でした。
2026年にManual CI-Ⅴを製作したので送受信試験をしてみると、受信感度が低い・送信ﾄﾞﾗｲﾌﾞ不足・内部TCXOでｾﾞﾛｲﾝできない、という現象が出ました。
外部REFをTR5ｴﾐｯﾀに接続していたのを、内部TCXOの切り替えｽｲｯﾁ経由でTR5ﾍﾞｰｽ入力に変更したところ、すべての問題は解決できました。
変更後のﾌﾟﾗｸﾞｲﾝ基盤の実装ﾎﾟｲﾝﾄ図です。
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